【市場行情】

滬深兩市成交額2.91萬億元，較上一個交易日縮量1.04萬億元。截至收盤，滬指跌0.33%，深成指漲0.41%，創(chuàng)業(yè)板指漲0.56%。半導體設(shè)備ETF（159516）午后放量上漲，收漲5.32%。

資料來源：Wind

【上漲因素分析】

1、消息面上，主因臺積電capex超預期。臺積電預期2026年capex將達520億~560億美元，2024年僅為409億美元，這意味著27%~37%的增幅。同時，臺積電預計未來三年資本開支有望顯著增加。

2、深層次邏輯，是國內(nèi)半導體設(shè)備行業(yè)與全球算力共振。從全球算力產(chǎn)業(yè)鏈看，臺積電依然是AI景氣度的錨點。目前英偉達、博通等海外大廠的計算芯片依然是靠臺積電完成制造和封測，cowos產(chǎn)能雖然持續(xù)擴產(chǎn)，但是目前依然處在緊缺狀態(tài)。因此，在手機等傳統(tǒng)下游增長有限的前提之下，臺積電擴產(chǎn)節(jié)奏超出預期本身就意味著北美AI未來需求的增長。

更進一步，AI浪潮持續(xù)高潮，對全球相關(guān)配件的景氣度有望進一步拉動。其中，包括運力層面的PCB、光模塊等，以及存力方面的HBM、Nand等產(chǎn)品都有進一步上調(diào)預期?？偠灾_積電的業(yè)績表明北美算力的景氣度高企。

在存儲方面，本輪存儲漲價源于AI的虹吸。在海外算力日益高漲的同時，全球存儲行業(yè)都有望進入了擴產(chǎn)周期。國內(nèi)存儲行業(yè)也吃到了這次存儲漲價的紅利。且后面兩存上市預期加強，國內(nèi)半導體設(shè)備賽道景氣度迅速上行。總結(jié)一下，存儲漲價是因為海外算力導致的存儲需求增長過快，而存儲越漲，擴產(chǎn)預期就越強，國內(nèi)半導體設(shè)備行業(yè)就越受益。所以半導體設(shè)備現(xiàn)在也開始和海外算力映射了。

【后市展望】

AI的科技浪潮短期內(nèi)很難暫停，存力緊缺有望貫穿2026年。芯片受益于摩爾定律的進展，計算的速度和量都呈現(xiàn)快速增長。但是，這些年來其他賽道的發(fā)展并沒有芯片這么快，比如內(nèi)存就很典型。過去20年處理器性能年均提升55%，而內(nèi)存僅10%。所以，為了滿足芯片計算的需求，需要為之匹配足夠的存儲。GPU上全用HBM成本又太高，所以英偉達引入Nand和DDR5應(yīng)該也有成本方面的考量。展望后市，全球計算芯片有望進一步成長，由此帶來的存儲需求增速甚至比芯片本身更快。

半導體設(shè)備具備催化明確優(yōu)點，建議持續(xù)關(guān)注半導體設(shè)備ETF（159516）。目前，存儲漲價持續(xù)超出預期、兩存上市等事件直接拉動半導體設(shè)備預期，同時，目前國產(chǎn)半導體設(shè)備開始與海外算力共振，美光、閃迪、拉姆研究、應(yīng)用材料等大廠的動態(tài)都有望成為催化。截至2026年1月15日，半導體設(shè)備ETF標的指數(shù)PETTM為104.92x，位于上市以來84.78%分位。雖然近期漲幅較大，但是歷史分位仍然低于半導體設(shè)計等環(huán)節(jié)，仍具有很強的布局性價比，建議持續(xù)關(guān)注。

資料來源：Wind（截至1月15日）

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